ON Semiconductor MURB1620CTT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

3W

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

应用

超快恢复能力

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

200V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

16A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MURB1620CT

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5μA @ 200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

975mV @ 8A

正向电流

8A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

最大浪涌电流

100A

输出电流-最大值

8A

无卤素

无卤素

正向电压

975mV

最大反向电压（DC）

200V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

反向恢复时间

35 ns

峰值反向电流

5μA

最大重复反向电压(Vrrm)

200V

峰值非恢复性浪涌电流

100A

反向电压

200V

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

100A

恢复时间

35 ns

高度

4.83mm

长度

10.29mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅