ON Semiconductor MURD320T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

200V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SWITCHMODE™

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

应用

超快恢复能力

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT

HTS代码

8541.10.00.80

电压 - 额定直流

200V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MURD320

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

共阳极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5μA @ 200V

输出电流

3A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

950mV @ 3A

箱体转运

CATHODE

正向电流

3A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

最大浪涌电流

75A

无卤素

无卤素

正向电压

950mV

最大反向电压（DC）

200V

平均整流电流

3A

相位的数量

1

反向恢复时间

35 ns

峰值反向电流

5μA

最大重复反向电压(Vrrm)

200V

峰值非恢复性浪涌电流

75A

反向电压

200V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

75A

恢复时间

35 ns

自然的热阻

80 °C/W

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅