ON Semiconductor MURD620CTT4

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Voltage Rating (DC)

250 V

RoHS

Compliant

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MURD620CTT4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

4.03

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

超快恢复

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

6 A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

电压

100 V

元素配置

共阴极

电流

6 A

二极管类型

接收电极

箱体转运

CATHODE

最大浪涌电流

50 A

输出电流-最大值

3 A

正向电压

1.2 V

最大反向电压（DC）

200 V

平均整流电流

3 A

相位的数量

1

反向恢复时间

35 ns

峰值反向电流

5 µA

Rep Pk反向电压-最大值

200 V

峰值非恢复性浪涌电流

50 A

最大非代表Pk前进电流

50 A

反向电压

200 V

反向电流-最大值

5 µA

恢复时间

35 ns

反向恢复时间-最大值

0.035 µs

无铅

含铅