ON Semiconductor MURF860G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-2 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

SWITCHMODE™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

应用

超快恢复能力

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT

HTS代码

8541.10.00.80

引脚数量

2

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10μA @ 600V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5V @ 8A

箱体转运

ISOLATED

正向电流

8A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

最大浪涌电流

100A

输出电流-最大值

8A

正向电压

1.5V

最大反向电压（DC）

600V

平均整流电流

8A

相位的数量

1

反向恢复时间

60 ns

峰值反向电流

10μA

最大重复反向电压(Vrrm)

600V

峰值非恢复性浪涌电流

100A

反向电压

600V

最大正向浪涌电流（Ifsm）

100A

恢复时间

60 ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅