ON Semiconductor MURHB860CTG
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MURHB860CTG
1807-MURHB860CTG
二极管 - 整流器 - 阵列
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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DIODE ARRAY GP 600V 4A D2PAK
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MURHB860CTG详情
ON Semiconductor MURHB860CTG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Tube
系列
MEGAHERTZ™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
应用
高压超快恢复电源
附加功能
自由旋转二极管
HTS代码
8541.10.00.80
电压 - 额定直流
600V
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MURHB860CT
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
共阴极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 600V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2.8V @ 4A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
100A
输出电流-最大值
4A
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
4A
相位的数量
1
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
反向电压
600V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100A
恢复时间
35 ns
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
MURHB860CTG拓展信息
ON Semiconductor
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