ON Semiconductor MVSF2N02ELT1G

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 3.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.5nC @ 4V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

125 ns

连续放电电流(ID)

2.8A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅