注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.776569
500
¥0.571009
1000
¥0.475841
2000
¥0.436546
5000
¥0.407991
10000
¥0.379523
15000
¥0.367049
50000
¥0.360911
Diodes Incorporated DMP2160U-7
- 收藏
- 对比
DMP2160U-7
671-DMP2160U-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMP2160U-7详情
Diodes Incorporated DMP2160U-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Ta
Turn Off Delay Time
46.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
80mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.4W
接通延迟时间
12.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 1.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
627pF @ 10V
上升时间
10.3ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
10.3 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
阈值电压
-600mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
高度
1mm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP2160U-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated







哦! 它是空的。