ON Semiconductor NCP5351DR2G
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NCP5351DR2G
1807-NCP5351DR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC
--最小包装量--
NCP5351DR2G详情
ON Semiconductor NCP5351DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2V
操作温度
-30°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
4.5V~6.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NCP5351
引脚数量
8
最大输出电流
4A
电源
5V
电源电流
1mA
传播延迟
80 ns
输入类型
Inverting, Non-Inverting
接通延迟时间
80 ns
无卤素
无卤素
上升时间
16ns
下降时间(典型值)
21 ns
上升/下降时间(Typ)
8ns 14ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Synchronous
驱动器数量
2
输出峰值电流限制-名
4A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
4A 4A
高边驱动器
YES
关断时间
0.037 μs
高压侧电压-最大值(自举)
25V
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NCP5351DR2G拓展信息
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