ON Semiconductor NCP5355DR2G
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NCP5355DR2G
1807-NCP5355DR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC DRVR MOSF SYNC BUCK 12V 8SOIC
--最小包装量--
NCP5355DR2G详情
ON Semiconductor NCP5355DR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2V
操作温度
0°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
700mW
电压 - 供电
8V~14V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
12V
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NCP5355
引脚数量
8
资历状况
不合格
最大输出电流
2A
电源电流
2mA
功率耗散
700mW
传播延迟
60 ns
输入类型
Inverting, Non-Inverting
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
25 ns
上升/下降时间(Typ)
15ns 15ns
信道型
Synchronous
驱动器数量
2
输出峰值电流限制-名
2A
电源电压1-额定值
12V
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
26V
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NCP5355DR2G拓展信息
ON Semiconductor
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