ON Semiconductor NCV33152DR2G

工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

Driver Configuration

Low-Side

Logic voltage-VIL, VIH

0.8V 2.6V

Usage Level

Automotive grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

操作温度

-40°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

560mW

电压 - 供电

6.1V~18V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

2

电源电压

12V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NCV33152

引脚数量

8

最大输出电流

1.5A

电源电流

10.5mA

功率耗散

560mW

输出电流

1.5A

传播延迟

55 ns

输入类型

Non-Inverting

接通延迟时间

55 ns

无卤素

无卤素

上升时间

36ns

下降时间（典型值）

32 ns

上升/下降时间(Typ)

36ns 32ns

接口IC类型

基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器

筛选水平

AEC-Q100

信道型

Independent

驱动器数量

2

输出峰值电流限制-名

1.5A

闸门类型

N-Channel MOSFET

峰值输出电流（源极，漏极）

1.5A 1.5A

高边驱动器

YES

座位高度(最大)

1.75mm

宽度

3.9mm

长度

4.9mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅