NCV51511PDR2G
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ON Semiconductor NCV51511PDR2G

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型号

NCV51511PDR2G

utmel 编号

1807-NCV51511PDR2G

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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NCV51511PDR2G ON Semiconductor IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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NCV51511PDR2G详情

ON Semiconductor NCV51511PDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    High-Side or Low-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    2V 1.8V

  • Usage Level

    Automotive grade

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)

  • 电压 - 供电

    8V~16V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    12V

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    6ns 4ns

  • 接口IC类型

    基于缓冲器或反相器的外设驱动器

  • 信道型

    Synchronous

  • 驱动器数量

    2

  • 接通时间

    0.047 µs

  • 闸门类型

    N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    3A 6A

  • 关断时间

    0.045 µs

  • 内置保护器

    UNDER VOLTAGE; TRANSIENT

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    100V

  • 输出电流流向

    水槽

  • 长度

    4.9mm

  • 座位高度(最大)

    1.75mm

  • 宽度

    3.9mm

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