ON Semiconductor NDD03N60Z-1G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

4

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

61W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.6Ohm

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

61W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6 Ω @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

312pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

高度

7.62mm

长度

6.73mm

宽度

2.38mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅