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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.304813
10
¥3.11775
100
¥2.941276
500
¥2.774785
1000
¥2.61772
STMicroelectronics STU3LN62K3
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- 对比
STU3LN62K3
2381-STU3LN62K3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STU3LN62K3详情
STMicroelectronics STU3LN62K3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 7 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
45W Tc
Turn Off Delay Time
30 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
3Ohm
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
基本部件号
STU3L
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
45W
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3 Ω @ 1.25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
386pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
7ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
27 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
620V
雪崩能量等级(Eas)
90 mJ
高度
6.9mm
长度
6.6mm
宽度
2.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STU3LN62K3拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
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