ON Semiconductor NDD03N80Z-1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

96W Tc

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5 Ω @ 1.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

2.9A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.9A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

高度

7.62mm

长度

6.73mm

宽度

2.38mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅