ON Semiconductor NDD04N60ZT4G

生命周期状态

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工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.8Ohm

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

640pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

4.1A

阈值电压

3.9V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.6A

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅