STMicroelectronics STD5N52U
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STD5N52U
2381-STD5N52U
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
--最小包装量--
STD5N52U详情
STMicroelectronics STD5N52U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Turn Off Delay Time
23.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
UltraFASTmesh™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.28Ohm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STD5N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
70W
接通延迟时间
11.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5 Ω @ 2.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
529pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
16.9nC @ 10V
上升时间
13.6ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
4.4A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
525V
栅源电压
3.75 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD5N52U拓展信息
STMicroelectronics
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