对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

质量

终端数量

晶体管元件材料

外壳材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

电压 - 额定直流

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

配置

通道数量

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

双电源电压

输入电容

DS 击穿电压-最小值

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

最大结点温度(Tj)

漏源电阻

栅源电压

环境耗散-最大值

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

NDS352AP_NL
NDS352AP_NL
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

NDS352AP_NL

有

Obsolete

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

SOT

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

SUPERSOT

7.95

0.9 A

1

1

150 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

小概要

未说明

e3

EAR99

Matte Tin (Sn)

逻辑电平兼容

DUAL

鸥翼

未说明

compliant

3

R-PDSO-G3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

0.9 A

0.3 Ω

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.5 W

NDS352AP-NL-ML
NDS352AP-NL-ML
MOSLEADER 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

MOSLEADER

Tape & Reel (TR)

活跃

NDS352AP
NDS352AP
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

3

30mg

SILICON

900mA Ta

35 ns

500mW Ta

1

4.5V 10V

2.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Cut Tape (CT)

1997

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

500mOhm

逻辑电平兼容

-30V

DUAL

鸥翼

-900mA

1

Single

增强型MOSFET

500mW

8 ns

P-Channel

SWITCHING

300m Ω @ 1A, 10V

135pF @ 15V

3nC @ 4.5V

16ns

30V

±20V

16 ns

900mA

-800mV

20V

0.9A

-30V

-30V

150°C

-1.7 V

1.22mm

3.05mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

NDS352AP.
NDS352AP.
Fairchild 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

*

活跃

NDS352AP
NDS352AP
National Semiconductor Corporation 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

3

SILICON

1

RECTANGULAR

小概要

无

Transferred

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

0.9 A

150 °C

PLASTIC/EPOXY

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

逻辑电平兼容

8541.21.00.95

DUAL

鸥翼

compliant

R-PDSO-G3

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

SWITCHING

P-CHANNEL

TO-236AB

0.3 Ω

30 V

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0.5 W

0.46 W

NDS352APX
NDS352APX
Fairchild Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

3

Compliant

35 ns

150 °C

-55 °C

500 mW

Single

8 ns

900 mA

20 V

135 pF

300 mΩ

940 µm

2.92 mm

1.4 mm

NDS352AP-VB
NDS352AP-VB
VBsemi Elec 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1