'nds352ap_nl'
7结果- 所有品牌
对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 外壳材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 双电源电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 最大结点温度(Tj) | 漏源电阻 | 栅源电压 | 环境耗散-最大值 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||
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![]() | NDS352AP_NL | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | SILICON | NDS352AP_NL | 有 | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SOT | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SUPERSOT | 7.95 | 0.9 A | 1 | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | 未说明 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 逻辑电平兼容 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 3 | R-PDSO-G3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | 0.9 A | 0.3 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.5 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS352AP-NL-ML | MOSLEADER | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | MOSLEADER | Tape & Reel (TR) | 活跃 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS352AP | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 30mg | SILICON | 900mA Ta | 35 ns | 500mW Ta | 1 | 4.5V 10V | 2.5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | 1997 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 500mOhm | 逻辑电平兼容 | -30V | DUAL | 鸥翼 | -900mA | 1 | Single | 增强型MOSFET | 500mW | 8 ns | P-Channel | SWITCHING | 300m Ω @ 1A, 10V | 135pF @ 15V | 3nC @ 4.5V | 16ns | 30V | ±20V | 16 ns | 900mA | -800mV | 20V | 0.9A | -30V | -30V | 150°C | -1.7 V | 1.22mm | 3.05mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS352AP. | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | * | 活跃 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS352AP | National Semiconductor Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | SILICON | 1 | RECTANGULAR | 小概要 | 无 | Transferred | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP | 0.9 A | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 逻辑电平兼容 | 8541.21.00.95 | DUAL | 鸥翼 | compliant | R-PDSO-G3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | P-CHANNEL | TO-236AB | 0.3 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.5 W | 0.46 W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS352APX | Fairchild Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 3 | Compliant | 35 ns | 150 °C | -55 °C | 500 mW | Single | 8 ns | 900 mA | 20 V | 135 pF | 300 mΩ | 940 µm | 2.92 mm | 1.4 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NDS352AP-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 |
NDS352AP_NL
ON Semiconductor
分类:Integrated Circuits (ICs)
NDS352AP-NL-ML
MOSLEADER
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDS352AP
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDS352AP.
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDS352AP
National Semiconductor Corporation
分类:Transistors - Special Purpose
NDS352APX
Fairchild Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NDS352AP-VB
VBsemi Elec
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays


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