ON Semiconductor NE5517DG
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NE5517DG
1807-NE5517DG
线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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ON SEMICONDUCTOR NE5517DGTRANS CONDUCTANCE AMPLIFIER, 2MHZ, SOIC-16
--最小包装量--
NE5517DG详情
ON Semiconductor NE5517DG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
16
质量
665.986997mg
操作温度
0°C~70°C
包装
Tube
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
电阻
26kOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
包装方式
RAIL
最大功率耗散
1.125W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NE5517
引脚数量
16
输出类型
Push-Pull
最大输出电流
650μA
通道数量
2
电路数量
2
工作电源电流
2.6mA
功率耗散
1.125W
输出电流
350A
最小输入电压
-5V
压摆率
50V/μs
放大器类型
Transconductance
共模拒绝率
80 dB
输入偏正电流
400nA
最大输入电压
5V
电压 - 电源,单/双路(±)
4V~44V ±2V~22V
无卤素
无卤素
每个通道的输出电流
650μA
电源类型
Dual, Single
输入失调电压(Vos)
5mV
负电源电压(Vsup)
-15V
统一增益 BW-(标准值)
2000 kHz
平均偏置电流-最大值 (IIB)
8μA
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
400μV
最大偏置电流 (IIB) @25C
5μA
标称增益带宽积
2MHz
长度
10mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NE5517DG拓展信息
ON Semiconductor
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