ON Semiconductor NGB8206N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

20A

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 9A, 1k Ω, 5V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

2

端子表面处理

Tin/Lead (Sn80Pb20)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NGB8206

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

上升时间-最大值

8000ns

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

功率 - 最大

150W

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压 - 集射极击穿（最大值）

390V

最大耗散功率(Abs)

150W

接通时间

6500 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 4.5V, 20A

关断时间-标准值（toff)

18500 ns

集极脉冲电流（Icm）

50A

Td（开/关）@25°C

-/5μs

栅极-发射极电压-最大值

15V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.1V

最大下降时间 (tf)

14000ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant