ON Semiconductor NGD15N41CLT4
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NGD15N41CLT4
1807-NGD15N41CLT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 440V 15A 107W DPAK
--最小包装量--
NGD15N41CLT4详情
ON Semiconductor NGD15N41CLT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
440V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 6.5A, 1k Ω
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin/Lead (Sn80Pb20)
电压 - 额定直流
410V
最大功率耗散
107W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
15A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
NG*15N41CL
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
107W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
晶体管应用
汽车点火装置
上升时间
4ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
440V
最大集电极电流
15A
最大击穿电压
440V
接通时间
5700 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 4V, 10A
关断时间-标准值(toff)
15500 ns
集极脉冲电流(Icm)
50A
Td(开/关)@25°C
-/4μs
栅极-发射极电压-最大值
15V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.1V
最大下降时间 (tf)
15000ns
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NGD15N41CLT4拓展信息
ON Semiconductor
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