ON Semiconductor NIF9N05CLT1G

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.69W Ta

Turn Off Delay Time

1.54 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

107MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

52V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2.6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.69W

箱体转运

DRAIN

箝位电压

52V

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 2.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 35V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7nC @ 4.5V

上升时间

290ns

漏源电压 (Vdss)

59V

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

290 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

阈值电压

1.75V

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

52V

双电源电压

52V

栅源电压

1.75 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅