ON Semiconductor NJD2873

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

Noritake Company Inc.

Product Status

Obsolete

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

hFEMin

40

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Base Product Number

NJD2873

Package Description

PLASTIC, CASE 369C-01, DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369C-01

Reflow Temperature-Max (s)

30

Transition Frequency-Nom (fT)

65 MHz

Manufacturer Part Number

NJD2873

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.23

系列

*

操作温度

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

15 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

2 A

频率

65 MHz

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1.68 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

15 W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

65 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

3 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V

最大集极截止电流

-

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

65MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

2 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

50 V

无铅

含铅