ON Semiconductor NJVBDX53C
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NJVBDX53C
1807-NJVBDX53C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB
1最小包装量--
NJVBDX53C详情
ON Semiconductor NJVBDX53C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
包装
Tube
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
65W
额定电流
8A
基本部件号
BDX53
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 3A 3V
最大集极截止电流
500μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2V @ 12mA, 3A
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NJVBDX53C拓展信息
ON Semiconductor
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