ON Semiconductor NJVMJD253T4G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Manufacturer

CTS

Brand

CTS电子元件

RoHS

Details

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

NJVMJD253T4G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.64

系列

580

包装

Reel

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

Oscillators

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.4 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

产品类别

TCXO

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

40MHz

输出格式

削波正弦波

最大耗散功率(Abs)

12.5 W

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

100 V

产品类别

TCXO 振荡器