ON Semiconductor NJVMJD31CT4G-VF01

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MJD31

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.56W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A 4V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 375mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

转换频率

3MHz

频率转换

3MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant