ON Semiconductor NJVMJD45H11D3T4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

20W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

20W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

90MHz

频率转换

90MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅