ON Semiconductor NRVBB3030CTLG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

D²PAK

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

15A

Package Description

R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

418B-04

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

NRVBB3030CTLG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Forward Voltage-Max (VF)

0.51 V

Risk Rank

5.73

Part Package Code

TO-263

系列

Automotive, AEC-Q101

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

POWER

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

技术

SCHOTTKY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

Brand Name

安森美半导体

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

2 mA @ 30 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

440 mV @ 15 A

箱体转运

CATHODE

工作温度 - 结点

-55°C ~ 125°C

输出电流-最大值

15 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

30 V

相位的数量

1

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

最大非代表Pk前进电流

300 A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

反向电流-最大值

2000 µA