ON Semiconductor NRVBD660CTT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

应用

快速恢复能力

附加功能

自由旋转二极管

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

共阴极

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

100μA @ 60V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

700mV @ 3A

正向电流

6A

工作温度 - 结点

-65°C~175°C

输出电流-最大值

3A

无卤素

无卤素

正向电压

900mV

最大反向电压（DC）

60V

平均整流电流

3A

相位的数量

1

峰值反向电流

100μA

最大重复反向电压(Vrrm)

60V

峰值非恢复性浪涌电流

75A

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大正向浪涌电流（Ifsm）

75A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅