ON Semiconductor NRVBM110ET1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-216AA

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

POWERMITE®

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.80

终端形式

鸥翼

引脚数量

2

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G1

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

1μA @ 10V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

595mV @ 2A

箱体转运

CATHODE

正向电流

1A

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

输出电流-最大值

1A

无卤素

无卤素

正向电压

530mV

最大反向电压（DC）

10V

平均整流电流

1A

峰值反向电流

1μA

最大重复反向电压(Vrrm)

10V

峰值非恢复性浪涌电流

50A

最大正向浪涌电流（Ifsm）

50A

反向电压(直流电)

10V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅