ON Semiconductor NSBA123EF3T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-1123

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-1123

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

254mW

元素配置

Single

功率 - 最大

254mW

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻基(R1)

2.2 kOhms

电阻-发射极基极(R2)

2.2 kOhms

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅