ON Semiconductor NSCT817-40LT1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

225mW

额定电流

100mA

基本部件号

NSCT817

功率 - 最大

225mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅