NSPM2051MUT3G
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ON Semiconductor NSPM2051MUT3G

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型号

NSPM2051MUT3G

utmel 编号

1807-NSPM2051MUT3G

商品类别

静电控制,防静电,ESD,无尘室产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Surge Protection, 5 V, 8000-REEL

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NSPM2051MUT3G
NSPM2051MUT3G ON Semiconductor Surge Protection, 5 V, 8000-REEL

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NSPM2051MUT3G详情

ON Semiconductor NSPM2051MUT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    NSPM2051

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    最后一次购买

  • Package Description

    UDFN-2

  • Package Style

    CHIP CARRIER

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    517CZ

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NSPM2051MUT3G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Breakdown Voltage-Nom

    6.05 V

  • Risk Rank

    5.79

  • 系列

    -

  • 无铅代码

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • Reach合规守则

    compliant

  • 参考标准

    IEC-61000-4-2, 4-5

  • JESD-30代码

    R-PBCC-N2

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • Rep Pk反向电压-最大值

    5 V

  • 反向电流-最大值

    0.1 µA

  • 击穿电压-最小值

    5.1 V

  • 最大箝位电压

    10.5 V

  • 反向测试电压

    5 V

  • 击穿电压-最大值

    7 V

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技术文档: ON Semiconductor NSPM2051MUT3G.

NSPM2051MUT3G拓展信息

SZESD7C5.0DT5G
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SZESD5Z7.0T1G
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ESD8111FCT5G
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NUP1301ML3T1
NUP1301ML3T1

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SZNUP4060AXV6T1G
SZNUP4060AXV6T1G

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SMF12CT1
SMF12CT1

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ESD8116MUTAG
ESD8116MUTAG

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SZSD12T1G
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CM1223-04MR
CM1223-04MR

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CM1223-08MR
CM1223-08MR

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