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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.41299
10
¥5.106592
100
¥4.817542
500
¥4.544847
1000
¥4.287599
ON Semiconductor NSS60200SMTTBG
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- 对比
NSS60200SMTTBG
1807-NSS60200SMTTBG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
6-WDFN Exposed Pad
大陆
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TRANS PNP 60V 2A 6WDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSS60200SMTTBG详情
ON Semiconductor NSS60200SMTTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.8W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
转换频率
155MHz
频率转换
155MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
NSS60200SMTTBG拓展信息
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