ON Semiconductor NST3906DXV6T1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

2

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅