ON Semiconductor NST3946DXV6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Number of Elements

2

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

额定电流

200mA

频率

300MHz

基本部件号

NST3946D

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

40V

频率转换

300MHz 250MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

接通时间-最大值(ton)

70ns

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅