ON Semiconductor NST489AMT1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

535mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NST489AM

引脚数量

6

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 100mA, 1A

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅