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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.651061
10
¥6.274585
100
¥5.919419
500
¥5.584361
1000
¥5.268266
ON Semiconductor NSV12100UW3TCG
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- 对比
NSV12100UW3TCG
1807-NSV12100UW3TCG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-WDFN Exposed Pad
大陆
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Trans GP BJT PNP 12V 1A 3-Pin WDFN T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSV12100UW3TCG详情
ON Semiconductor NSV12100UW3TCG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
3-WDFN Exposed Pad
安装类型
表面贴装
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
740mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
440mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率转换
200MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NSV12100UW3TCG拓展信息
ON Semiconductor
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