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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥56.906117
10
¥53.685016
100
¥50.646241
500
¥47.779473
1000
¥45.074975
ON Semiconductor NSV1C300ET4G-VF01
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- 对比
NSV1C300ET4G-VF01
1807-NSV1C300ET4G-VF01
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSV1C300ET4G-VF01详情
ON Semiconductor NSV1C300ET4G-VF01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2.1W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 300mA, 3A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
转换频率
100MHz
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NSV1C300ET4G-VF01拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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