ON Semiconductor NSV60200SMTWTBG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.8W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

155MHz

频率转换

155MHz

RoHS状态

符合RoHS标准