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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.349124
10
¥3.159554
100
¥2.980707
500
¥2.811988
1000
¥2.652823
ON Semiconductor NSV60201SMTWTBG
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- 对比
NSV60201SMTWTBG
1807-NSV60201SMTWTBG
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
6-WDFN Exposed Pad
大陆
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TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSV60201SMTWTBG详情
ON Semiconductor NSV60201SMTWTBG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.8W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
转换频率
180MHz
频率转换
180MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
NSV60201SMTWTBG拓展信息
ON Semiconductor
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