ON Semiconductor NSVBAS116LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

0.225W

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5nA @ 75V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 150mA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

平均整流电流（Io）

200mA DC

最大反向电压（DC）

75V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

3μs

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅