ON Semiconductor NSVBAS21TMR6T2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

3

Operating Temperature (Max.)

150°C

Operating Temperature (Min.)

-55°C

Power Dissipation (Max)

0.311W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G6

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 200V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

输出电流-最大值

0.2A

平均整流电流（Io）

200mA DC

最大反向电压（DC）

250V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

50 ns

二极管配置

3 Independent

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅