ON Semiconductor NSVBAS70LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

0.225W

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

HTS代码

8541.10.00.70

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

BAS70

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

10μA @ 70V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1V @ 15mA

正向电流

70mA

最大反向漏电电流

10μA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

输出电流-最大值

0.07A

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

70mA DC

正向电压

1V

最大反向电压（DC）

70V

平均整流电流

70mA

峰值反向电流

10μA

最大重复反向电压(Vrrm)

70V

电容@Vr, F

2pF @ 0V 1MHz

最大正向浪涌电流（Ifsm）

100mA

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅