NSVBAV70DXV6T5G
NSVBAV70DXV6T5G

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ON Semiconductor NSVBAV70DXV6T5G

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型号

NSVBAV70DXV6T5G

utmel 编号

1807-NSVBAV70DXV6T5G

商品类别

二极管 - 整流器 - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT563

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NSVBAV70DXV6T5G
NSVBAV70DXV6T5G ON Semiconductor DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT563

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NSVBAV70DXV6T5G详情

ON Semiconductor NSVBAV70DXV6T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    4

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • Power Dissipation (Max)

    0.5W

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 元素配置

    共阴极

  • 速度

    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1μA @ 100V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.25V @ 150mA

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 输出电流-最大值

    0.2A

  • 平均整流电流(Io)

    200mA DC

  • 最大反向电压(DC)

    100V

  • 平均整流电流

    200mA

  • 反向恢复时间

    6ns

  • 二极管配置

    1 Pair Common Cathode

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NSVBAV70DXV6T5G相似的参数规格。

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NSVBAV70DXV6T5G拓展信息

BAT54CWT1G
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ON Semiconductor

BAV99WT1G
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MMBD7000LT1G
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ON Semiconductor

BAT54SWT1G
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ON Semiconductor

BAS70-04LT1G
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ON Semiconductor

BAT54ALT1G
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ON Semiconductor

MURB1620CTT4G
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ON Semiconductor

BAV70LT1G
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ON Semiconductor

MBRB41H100CTT4G
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MURD620CTT4G
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ON Semiconductor

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