ON Semiconductor NSVBC857CWT1G-M02
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NSVBC857CWT1G-M02
1807-NSVBC857CWT1G-M02
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
DO-201AA, DO-27, Axial
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NSVBC857CWT1G-M02
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NSVBC857CWT1G-M02详情
ON Semiconductor NSVBC857CWT1G-M02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
DO-201AA, DO-27, Axial
供应商器件包装
CASE-1
Package
Bulk
Base Product Number
1.5KE16
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
类型
Zener
应用
通用型
电源线保护
无
电压 - 击穿
15.2V
功率 - 最大
150 mW
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
67A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
22.5V
电压 - 反向断态(典型值)
13.6V
单向通道
1
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电容@频率
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
频率转换
100MHz
NSVBC857CWT1G-M02拓展信息
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