ON Semiconductor NSVBSP19AT1G

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

800mW

引脚数量

4

功率 - 最大

800mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

频率转换

70MHz

集电极基极电压(VCBO)

400V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅