ON Semiconductor NSVJ6904DSB6T1G
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NSVJ6904DSB6T1G
1807-NSVJ6904DSB6T1G
晶体管 - JFET
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
--最小包装量--
NSVJ6904DSB6T1G详情
ON Semiconductor NSVJ6904DSB6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
附加功能
低噪音
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
AMPLIFIER
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6pF @ 5V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.7W
环境耗散-最大值
0.7W
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
20mA @ 5V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
600mV @ 100μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
25V
电阻-RDS(On)
78mOhm
最大漏极电流(Id)
50mA
NSVJ6904DSB6T1G拓展信息
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