NSVJ6904DSB6T1G
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ON Semiconductor NSVJ6904DSB6T1G

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型号

NSVJ6904DSB6T1G

utmel 编号

1807-NSVJ6904DSB6T1G

商品类别

晶体管 - JFET

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

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NSVJ6904DSB6T1G
NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

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NSVJ6904DSB6T1G详情

ON Semiconductor NSVJ6904DSB6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 附加功能

    低噪音

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率 - 最大

    700mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6pF @ 5V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.7W

  • 环境耗散-最大值

    0.7W

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    20mA @ 5V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    600mV @ 100μA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    25V

  • 电阻-RDS(On)

    78mOhm

  • 最大漏极电流(Id)

    50mA

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NSVJ6904DSB6T1G拓展信息

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