ON Semiconductor NSVMBD770DW1T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

0.38W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

参考标准

AEC-Q101

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

200nA @ 35V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

500mV @ 1mA

正向电流

100mA

工作温度 - 结点

-55°C~150°C

最大反向电压（DC）

70V

平均整流电流

100mA

最大重复反向电压(Vrrm)

70V

电容@Vr, F

1pF @ 20V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

1A

二极管电容-最大值

1pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅