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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.27464
10
¥2.145887
100
¥2.024425
500
¥1.909834
1000
¥1.801727
ON Semiconductor NSVMMUN2114LT3G
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- 对比
NSVMMUN2114LT3G
1807-NSVMMUN2114LT3G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NSVMMUN2114LT3G详情
ON Semiconductor NSVMMUN2114LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
246mW
功率 - 最大
246mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)
10 k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47 k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NSVMMUN2114LT3G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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