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价格梯度

内地含税价

1

￥3.207951
10

￥3.026366
100

￥2.855065
500

￥2.693453
1000

￥2.540998

ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G

Name: NSVMMUN2212LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMMUN2212LT1G
Price: 3.21 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVMMUN2212LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMMUN2212LT1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

起订量

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NSVMMUN2212LT1G ON Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

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型号对比

ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
表面安装

YES
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型

表面贴装
引脚数

3
hFEMin

60
Number of Elements

1
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
已出版

2013
包装

Tape & Reel (TR)
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

246mW
引脚数量

3
极性

NPN
元素配置

Single
无卤素

无卤素
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电阻基(R1)

22 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

22 k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVMMUN2212LT1G拓展信息

热销零件